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半导体工业常用的混合气体

半导体工业常用的混合气体

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  • Time of issue:2023-11-23 10:40
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(Summary description)在半导体工业中,外延生长混合物、化学气相积累(CVD)用混合气、掺杂混合气体和蚀刻混合物分别用于不同的工艺步骤。这些气体在半导体制造中起着关键作用,涉及材料生长、成膜、掺杂和蚀刻等过程。

半导体工业常用的混合气体

(Summary description)在半导体工业中,外延生长混合物、化学气相积累(CVD)用混合气、掺杂混合气体和蚀刻混合物分别用于不同的工艺步骤。这些气体在半导体制造中起着关键作用,涉及材料生长、成膜、掺杂和蚀刻等过程。

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半导体工业常用的混合气体

1、外延(生长)混合物:在半导体工业中,在精心选择的衬底上选择化学气相淀积的方法。生长一层或多层材料所用的气体称为外延气体。常用的硅外延气体包括二氯二氢硅(DCS)、四氯化硅(SiCl4)和硅烷。主要用于外延硅积累、氧化硅膜积累、氮化硅膜积累、太阳能电池等光感受器的非晶硅膜积累。外延是一种单晶材料在衬底表面积累和生长的过程。

2、化学气相积累(CVD)用混合气:CVD是利用挥发性化合物,通过气相化学反应淀积某种单质和化合物的一种方法,即应用气相化学反应的一种成膜方法。依据成膜种类,使用的化学气相积累(CVD)气体也有所不同。

3、掺杂混合气体:在半导体设备和集成电路制造中,进口电子气体和微信号bluceren咨询。将一些杂质混合到半导体材料中,使材料具有所需的导电类型和一定的电阻率,以制造电阻和PN结、埋层等。混合过程中使用的气体称为混合气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。混合源通常与运输气体(如氩气和氮气)混合在源柜中。混合后,气流连续注入扩散炉,环绕晶片,混合剂沉积在晶片表面,然后与硅反应产生混合金属,迁移到硅中。

4、蚀刻混合物:蚀刻是蚀刻基板上的加工表面(如金属膜、氧化硅膜等。),并保存光刻胶覆盖的区域,以获得基板表面所需的成像图形。蚀刻方法包括湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法化学蚀刻所用的气体称为蚀刻气体。蚀刻气体通常是氟化物气体(卤化物),如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。
 

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